小型坩埚熔炼炉-可控硅的均压和均流措施

　　小型坩埚熔炼炉可控硅的均压和均流措施

　　无论是逆变桥还是整流桥中的可控硅，由于装置容量大，输出电压高，加上目前生产的可控硅的耐压和额定电流有限，所以单个元件达不到要求，而需要采用多个元件串联或并联组成各桥臂来精足电压、电流要求，这*需要考虑元件间的均压和均流问题。

　　（1）元件串联当小型坩埚熔炼炉可控硅的额定正向阻断峰值电压和反向阻断峰值电压小于实际要求值时，必须采用串联连接。

　　参加串联的各元件J必须是同一型号的，尽可能挑选正向漏电流和反向漏电流特性一致的元件，若能保证控制极触发特性也一致*更好。此外应采取均压措施。

　　小型坩埚熔炼炉可控硅串联连接时，必须降压运行，即实际工作电压应小于串联元件额定反峰压总和的90%。此外，元件串联后，对控制极触发脉冲要求提高了，要求串联的可控硅之间的开通时间差要小。因此，脉冲前沿要陡（在1～2微秒以内），触发功率要大。

　　（2）元件并联单个元件的额定正向平均电流不能满足要求时，必须采用并联连接。参加并联的各元件的正向导通压降及触发特性应尽量一致。

　　元件并联后应采取均流措施，可盥在每个元件上串联电阻或电感后并联，也可阻采用均流电抗器。在中频装置中，采用套磁环的方法（相当于均流电扰器）比较方便。

　　元件并联后的总工作电流应不大干元件额定电流总和的80%，并要求触发脉冲源内阻小，脉冲前沿陡，功率大，脉冲宽度也不要太小。