小熔炼炉串联逆变器和并联避变器的比较

　　小熔炼炉并联逆变器的直流输A端串接有足够大的电抗器，能防止逆变失败时的电流过大。输入功率能在短期内，借助于把整流器转为逆变工作而切断，与此同时，贮存在电抗器中的能量也返回电嘲。而在串联逆变中，多用不控整流器供电，输入功率只能由一个附加的快速断路器切断，滤波电容器中的能量也不能返回电网。为防止逆变失败时，电容器中贮存的能量完全以热的形式传给逆变可控硅，必须采取措施r&制逆变器中电流的增加，井使电容器对电阻放电。类似的措施对于调谐电容器也是必要的。显然，串联逆变要求的保护装置比较复杂，但附加的保护装置，几乎与系统的容量无关。一般说，大容量的逆变器采用串联逆变较经济，而小熔炼炉容量小的，则选甩并联逆变更台适。

　　小熔炼炉串并联递变器优于并联逆变器，即使工作频率很高，也很容易起动。因为串联电容器提供了一个与电流有关的换向能力，这种换向能力和负载电压的振幅无关。选样，在任何输出电压下，逆变器都能够转换满载的额定电流。缺点是在实际应用中，串联电容器的单一固定的电容量，在一定程度上限制了工作频率范围（通常限于1,7～1的范围内）。

　　值得指出，在任何选定的小熔炼炉工作频率下，如果换向重叠时间一定，而且加入的触发脉冲能保证可控硅有一定的承受反压时间的话，那末串联电容值的大小，在相当大的范围内对可控硅的利用率没有什么影响。而且该利用率和采用并联补偿逆变器线路的大致相同。因此，在逆熊器线路中，一组可控硅在某种工作频率下产生多大功率输出，基本上与串联电容值无关。但是，当频率减低到某设计值以下时，如果要保持输出电压和功率恒定，则可控硅上的峰值电压*有可能增高。可控硅电压升高是由于串联电容的电压随着频率的降低而升高。串接电容C。值越小，可控硅电压升高越快。如有必要，可以调节小熔炼炉逆变器的脉冲定时控制，使串联电容的电压和负载电压之间的相位关系能作某些移动，从而使可控硅电压不列谴频率减低而增高。