中频感应加热设备-输出功率半导体技术的融合

在50时代前,感应加热设备关键有:工频感应熔炼炉,电磁倍频器,中频发电机组和电子管震荡器式高压电源。50时代末可控硅的出現则意味着固体集成电路工艺为关键的当代电力电子学的刚开始。硅晶闸管的出現促进了感应力热电源及中频感应加热设备运用的迅猛发展。

迄今,在高频(500Hz~10kHz)范围之内,可控硅中频感应加热设备设备已彻底替代了传统式的中频发电机组和电磁感应倍频器。在高频率范围之内,因为晶闸管自身电源开关特点等主要参数的限定,给研发该频率段的开关电源产生了挺大的技术水平,它务必根据更改电源电路拓扑结构才有将会保持。

70时代末到80时代初,当代半导体材料微型机集成化生产加工技术性与输出功率半导体技术的融合,为开发设计新式输出功率集成电路工艺出示了标准,陆续出現了一大批全控型电力电子技术集成电路工艺,巨大地促进了电力电子学发展趋势,为固态超音频、高频电源、中频感应加热设备的研发出示了坚实的基础。

1983年IGBT的面世进-步促进了感应加热设备的发展趋势，IGBT综合性了MOS和双极晶体管的优势,具备通态压减少,电源开关速度更快,易驱动器等优势,自1988年处理了擎住难题后,功率髙速IGBT己变成诸多中频感应加热设备的优选元器件,頻率达到100kHz输出功率达到MW级开关电源已可保持。