轴承感应加热

　　轴承感应加热中奥氏体品粒长大的动力是其晶粒尺寸的不均匀性。而与品粒尺寸成反比、晶粒长大的驱动力与界面能成反比。

　　理想状态下的晶界。处于这种状态下的轴承感应加热奥氏体晶粒不易长大。但实际上奥氏体晶粒的大小是不均匀的。直径小于平均直径的晶粒，其邻接晶粒数一般小于6；直径大于平均直径的品粒，其邻接晶粒数一般大于6、为了保持界面张力平街。

    在一定温度条件下，由于轴承感应加热界面张力平衡作用，凡邻接晶粒数小于6的晶粒的晶界都将弯曲成正曲率弧，使界面面积增大，界面能升高。理想状态下的晶界。

　　为了减小轴承感应加热晶界面积以降低界面能，晶界有由曲线变成直线的自发趋势，因此将导致该晶粒缩小，直*消失。邻接晶粒数大于6的晶粒的界面也因晶界张力平衡而弯曲成负曲率弧，同样为减小界面面积，降低界面能，该晶粒将长大，从而吞并小品粒。

    进一步提高轴承感应加热温度或延长保温时间，大晶粒将继续长大这*是无数个小品粒被吞并和大晶粒长大的综合结果。这种长大过程又称为奥氏体的长大再结晶。

　　总之，界面能越大、晶粒尺寸越小，轴承感应加热奥氏体晶粒长大的驱动力*会越大，即晶粒的长大倾向越大，品界易于迁移。