高频数控淬火机床-IGBT工作原理！

       全工作区和宽安全工作区等之分。按器件封装分，有单管和模块两类。按器件参数分，包括了不同等级的电流电压规格。

IGBT 是新型的半导体复合器件，其结构原理是一种电导调制的 MOSFET，

       或   MOS 驱动的双极晶体管。因此，它集合了单极器件和多极器件优点，特别适合在感应加热电源中应用。从应用特性上，IGBT 具有如下特点：

       (1)全控型器件，电压驱动，易于控制；

       (2)输出阻断电压高、载流密度大、通态压降低，适合与较高的电压和功率配合应用；

       (3)开关动态性能介于 MOS 与 GTR 之间，目前*高工作频率为 100kHz 左右；

       (4)可实现较宽的安全工作区，无二次击穿现象，但应避免擎住效应

      （5） IGBT 的转移特性，它描述的是集电极电流 Ic 与栅极电压 UGE 之间的关系，与电力 MOSFET 的转移特性类似。开启电压UGE(th)是 IGBT 能实现电导调制而导通的*低栅射电压。